На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF1018EPBF | IRF1018ESLPBF | IRF1018ESPBF | IRF1018ESTRLPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220AB | TO-262 | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <110 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.29 нФVds = 50V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <79 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <8.4 мОмId, Vgs = 47A, 10V | |||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||
Заряд затвора | QG | 69 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||