IPP80N06S2-05

IPP80N06, IPP80N06S2-05, IPP80N06S2-07, IPP80N06S2-08, IPP80N06S2-09, IPP80N06S2-H5, IPP80N06S2L-05, IPP80N06S2L-06, IPP80N06S2L-07, IPP80N06S2L-09, IPP80N06S2L-11, IPP80N06S2L-H5, IPP80N06S3-05, IPP80N06S3-07, IPP80N06S3L-05, IPP80N06S3L-06, IPP80N06S3L-08

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		IPP80N06S2-05	IPP80N06S2-07	IPP80N06S2-08	IPP80N06S2-09	IPP80N06S2-H5	IPP80N06S2L-05	IPP80N06S2L-06	IPP80N06S2L-07	IPP80N06S2L-09	IPP80N06S2L-11	IPP80N06S2L-H5	IPP80N06S3-05	IPP80N06S3-07	IPP80N06S3L-05	IPP80N06S3L-06	IPP80N06S3L-08
Корпус микросхемы	Корпус	TO-220	TO-220-3	TO-220-3	TO-220	TO-220	TO-220-3	TO-220	TO-220	TO-220	TO-220-3	TO-220	TO-220	TO-220	TO-220	TO-220	TO-220
Производитель	Производитель	Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Мощность	P	<300 Вт	<250 Вт	<215 Вт	<190 Вт	<300 Вт	<300 Вт	<250 Вт	<210 Вт	<190 Вт	<158 Вт	<300 Вт	<165 Вт	<135 Вт	<165 Вт	<136 Вт	<105 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	5.11 нФVds = 25V	3.4 нФVds = 25V	2.86 нФVds = 25V	2.36 нФVds = 25V	4.4 нФVds = 25V	5.7 нФVds = 25V	3.8 нФVds = 25V	3.16 нФVds = 25V	2.62 нФVds = 25V	2.075 нФVds = 25V	5 нФVds = 25V	10.76 нФVds = 25V	7.768 нФVds = 25V	13.06 нФVds = 25V	9.417 нФVds = 25V	6.475 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<55 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<80 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<5.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V	<6.6 мОмId, Vgs = 68A, 10v	<8 мОмId, Vgs = 58A, 10V	<9.1 мОмId, Vgs = 50A, 10V	<5.5 мОмId, Vgs = 80A, 10V	<4.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V	<6.3 мОмId, Vgs = 69A, 10V	<7 мОмId, Vgs = 60A, 10V	<8.5 мОмId, Vgs = 52A, 10V	<11 мОмId, Vgs = 60A, 10V	<5 мОмId, Vgs = 80A, 10V	<5.4 мОмId, Vgs = 63A, 10V	<6.8 мОмId, Vgs = 51A, 10V	<4.8 мОмId, Vgs = 69A, 10V	<5.9 мОмId, Vgs = 56A, 10V	<7.9 мОмId, Vgs = 43A, 10V
Серия MOSFET	Серия	OptiMOS™
Заряд затвора	Q_G	170 нCVgs = 10V	110 нCVgs = 10V	96 нCVgs = 10V	80 нCVgs = 10V	155 нCVgs = 10V	230 нCVgs = 10V	150 нCVgs = 10V	130 нCVgs = 10V	105 нCVgs = 10V	80 нCVgs = 10V	190 нCVgs = 10V	240 нCVgs = 10V	170 нCVgs = 10V	273 нCVgs = 10V	196 нCVgs = 10V	134 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Standard	Standard	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Standard