На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPP10N03LBG | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Мощность | P | <58 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.639 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <50 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <9.9 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ |
Заряд затвора | QG | 13 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |