На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPP05CN10LG | IPP05CN10NG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 | TO-220 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <300 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 15.6 нФVds = 50V | 12 нФVds = 50V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <100 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5.1 мОмId, Vgs = 100A, 10V | <5.4 мОмId, Vgs = 100A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 163 нCVgs = 10V | 181 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |