На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPP04N03LA | IPP04N03LBG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220AB | TO-220 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <107 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3.877 нФVds = 15V | 5.203 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <80 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4.2 мОмId, Vgs = 55A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 55A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 32 нCVgs = 5V | 40 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |