На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPI80N03S4L-03 | IPI80N03S4L-04 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <94 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.1 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <80 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3.6 мОмId, Vgs = 80A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 75 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |