IPI100P03P3L-04

IPI100P03, IPI100P03P3L-04

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIPI100P03P3L-04
Корпус микросхемы
Корпус
I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<200 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
9.3 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<100 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<4.3 мОмId, Vgs = 80A, 10V
Серия MOSFET
Серия
OptiMOS™
Заряд затвора
QG
200 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate