На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPI100N08N3G | IPI100N08S2-07 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <100 Вт | <300 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.41 нФVds = 40V | 4.7 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <80 В | <75 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <70 А | <100 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <10 мОмId, Vgs = 46A, 10V | <7.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 35 нCVgs = 10V | 200 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |