IPI100N06S3-04

IPI100N06, IPI100N06S3-03, IPI100N06S3-04, IPI100N06S3L-03, IPI100N06S3L-04

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		IPI100N06S3-03	IPI100N06S3-04	IPI100N06S3L-03	IPI100N06S3L-04
Корпус микросхемы	Корпус	I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Производитель	Производитель	Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Мощность	P	<300 Вт	<214 Вт	<300 Вт	<214 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	21.62 нФVds = 25V	14.23 нФVds = 25V	26.24 нФVds = 25V	17.27 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<55 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<100 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<3.3 мОмId, Vgs = 80A, 10V	<4.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V	<3 мОмId, Vgs = 80A, 10V	<3.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V
Серия MOSFET	Серия	OptiMOS™
Заряд затвора	Q_G	480 нCVgs = 10V	314 нCVgs = 10V	550 нCVgs = 10V	362 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard	Standard	Logic Level Gate	Logic Level Gate