На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPI100N06S3-03 | IPI100N06S3-04 | IPI100N06S3L-03 | IPI100N06S3L-04 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | |||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Мощность | P | <300 Вт | <214 Вт | <300 Вт | <214 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 21.62 нФVds = 25V | 14.23 нФVds = 25V | 26.24 нФVds = 25V | 17.27 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <100 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3.3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <4.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |||
Заряд затвора | QG | 480 нCVgs = 10V | 314 нCVgs = 10V | 550 нCVgs = 10V | 362 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |