IPI05N03

IPI05N03, IPI05N03LA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIPI05N03LA
Корпус микросхемы
Корпус
I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<94 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.11 нФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<25 В
Постоянный ток стока
IDSS
<80 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<4.9 мОмId, Vgs = 55A, 10V
Серия MOSFET
Серия
OptiMOS™
Заряд затвора
QG
25 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate