IPI037N06

IPI037N06, IPI037N06L3G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIPI037N06L3G
Корпус микросхемы
Корпус
I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<167 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
13 нФVds = 30V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<90 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<3.7 мОмId, Vgs = 90A, 10V
Серия MOSFET
Серия
OptiMOS™
Заряд затвора
QG
79 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate