На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPD30N06S2-15 | IPD30N06S2-23 | IPD30N06S2L-13 | IPD30N06S2L-23 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <136 Вт | <100 Вт | <136 Вт | <100 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.485 нФVds = 25V | 901 пФVds = 25V | 1.8 нФVds = 25V | 1.091 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <30 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <14.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <23 мОмId, Vgs = 21A, 10V | <13 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <23 мОмId, Vgs = 22A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |||
Заряд затвора | QG | 110 нCVgs = 10V | 32 нCVgs = 10V | 69 нCVgs = 10V | 42 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |