На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPD30N03S2L-07 | IPD30N03S2L-10 | IPD30N03S2L-20 | IPD30N03S4L-09 | IPD30N03S4L-14 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Мощность | P | <136 Вт | <100 Вт | <60 Вт | <42 Вт | <31 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.9 нФVds = 25V | 1.2 нФVds = 25V | 530 пФVds = 25V | 1.52 нФVds = 15V | 980 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <30 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <6.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <20 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <13.6 мОмId, Vgs = 30A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | ||||
Заряд затвора | QG | 68 нCVgs = 10V | 42 нCVgs = 10V | 19 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 10V | 14 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||