На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPD20N03L | IPD20N03LG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <60 Вт | <42 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 700 пФVds = 25V | 695 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <30 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <20 мОмId, Vgs = 15A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 11 нCVgs = 5V | 19 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |