IPB80N04S2-04

IPB80N04, IPB80N04S2-04, IPB80N04S2-H4, IPB80N04S2L-03, IPB80N04S3-03, IPB80N04S3-04, IPB80N04S3-06

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIPB80N04S2-04IPB80N04S2-H4IPB80N04S2L-03IPB80N04S3-03IPB80N04S3-04IPB80N04S3-06
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<300 Вт<300 Вт<300 Вт<188 Вт<136 Вт<100 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
5.3 нФVds = 25V4.4 нФVds = 25V6 нФVds = 25V7.3 нФVds = 25V5.2 нФVds = 25V3.25 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<40 В
Постоянный ток стока
IDSS
<80 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<3.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V<3.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V<3.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V<3.2 мОмId, Vgs = 80A, 10V<3.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V<5.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V
Серия MOSFET
Серия
OptiMOS™
Заряд затвора
QG
170 нCVgs = 10V148 нCVgs = 10V213 нCVgs = 10V110 нCVgs = 10V80 нCVgs = 10V47 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
StandardStandardLogic Level GateStandardStandardStandard