На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPB80N04S2-04 | IPB80N04S2-H4 | IPB80N04S2L-03 | IPB80N04S3-03 | IPB80N04S3-04 | IPB80N04S3-06 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <300 Вт | <300 Вт | <300 Вт | <188 Вт | <136 Вт | <100 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.3 нФVds = 25V | 4.4 нФVds = 25V | 6 нФVds = 25V | 7.3 нФVds = 25V | 5.2 нФVds = 25V | 3.25 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <40 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <80 А | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.2 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <5.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |||||
Заряд затвора | QG | 170 нCVgs = 10V | 148 нCVgs = 10V | 213 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 10V | 47 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Standard | Standard | Standard |