На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPB70N10S3-12 | IPB70N10SL-16 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <125 Вт | <250 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 4.355 нФVds = 25V | 4.54 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <70 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <11.3 мОмId, Vgs = 70A, 10V | <16 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | SIPMOS® |
Заряд затвора | QG | 66 нCVgs = 10V | 240 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |