На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPB60R199CP | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <139 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.52 нФVds = 100V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <650 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <16 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <199 мОмId, Vgs = 9.9A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | CoolMOS™ |
Заряд затвора | QG | 43 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |