На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPB160N04S2-03 | IPB160N04S2L-03 | IPB160N04S3-H2 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (7 leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <300 Вт | <300 Вт | <214 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.3 нФVds = 25V | 6 нФVds = 15V | 9.6 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <40 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <160 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.9 мОмId, Vgs = 60A, 10V | <2.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <2.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | ||
Заряд затвора | QG | 170 нCVgs = 10V | 230 нCVgs = 5V | 145 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Standard |