На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPB100N06S2-05 | IPB100N06S2L-05 | IPB100N06S3-03 | IPB100N06S3-04 | IPB100N06S3L-03 | IPB100N06S3L-04 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <300 Вт | <300 Вт | <300 Вт | <214 Вт | <300 Вт | <214 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.11 нФVds = 25V | 5.66 нФVds = 25V | 21.62 нФVds = 25V | 14.23 нФVds = 25V | 26.24 нФVds = 25V | 17.27 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <100 А | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <4.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <4.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <2.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.5 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |||||
Заряд затвора | QG | 170 нCVgs = 10V | 230 нCVgs = 10V | 480 нCVgs = 10V | 314 нCVgs = 10V | 550 нCVgs = 10V | 362 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |