На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPB09N03LA | IPB09N03LAG | IPB09N03LAT | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <63 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.642 нФVds = 15V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <50 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <8.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | ||
Заряд затвора | QG | 13 нCVgs = 5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||