На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPB06N03LA | IPB06N03LAG | IPB06N03LAT | IPB06N03LB | IPB06N03LBG | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Мощность | P | <83 Вт | ||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.653 нФVds = 15V | 2.653 нФVds = 15V | 2.653 нФVds = 15V | 2.782 нФVds = 15V | 2.782 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | <25 В | <25 В | <30 В | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <50 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <5.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <5.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <6.3 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <6.3 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | ||||
Заряд затвора | QG | 22 нCVgs = 5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||