На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IPB03N03LA | IPB03N03LAG | IPB03N03LB | IPB03N03LBG | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <150 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 7.027 нФVds = 15V | 7.027 нФVds = 15V | 7.624 нФVds = 15V | 7.624 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | <25 В | <30 В | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <80 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.7 мОмId, Vgs = 55A, 10V | <2.7 мОмId, Vgs = 55A, 10V | <2.8 мОмId, Vgs = 55A, 10V | <2.8 мОмId, Vgs = 55A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |||
Заряд затвора | QG | 57 нCVgs = 5V | 57 нCVgs = 5V | 59 нCVgs = 5V | 59 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||