IPA50R250

IPA50R250, IPA50R250CP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIPA50R250CP
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220FP
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<33 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.42 нФVds = 100V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<550 В
Постоянный ток стока
IDSS
<13 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<250 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V
Серия MOSFET
Серия
CoolMOS™
Заряд затвора
QG
36 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard