IPA50R199CP

IPA50R199, IPA50R199CP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIPA50R199CP
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220FP
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<139 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.8 нФVds = 100V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<550 В
Постоянный ток стока
IDSS
<17 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<199 мОмId, Vgs = 9.9A, 10V
Серия MOSFET
Серия
CoolMOS™
Заряд затвора
QG
45 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard