HUFA76629D3

HUFA76629, HUFA76629D3, HUFA76629D3S, HUFA76629D3ST

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHUFA76629D3HUFA76629D3SHUFA76629D3ST
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<110 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.285 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<20 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<52 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Серия MOSFET
Серия
UltraFET™
Заряд затвора
QG
46 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate