HUFA75639

HUFA75639, HUFA75639G3, HUFA75639P3, HUFA75639S3S, HUFA75639S3ST

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHUFA75639G3HUFA75639P3HUFA75639S3SHUFA75639S3ST
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247-3TO-220-3 (Straight Leads)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<200 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<56 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<25 мОмId, Vgs = 56A, 10V
Серия MOSFET
Серия
UltraFET™
Заряд затвора
QG
130 нCVgs = 20V
FET Feature
FET Feature
Standard