HUF76419D3ST

HUF76419, HUF76419D3, HUF76419D3ST, HUF76419P3, HUF76419S3S, HUF76419S3ST

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHUF76419D3HUF76419D3STHUF76419P3HUF76419S3SHUF76419S3ST
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63TO-220-3 (Straight Leads)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<75 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
900 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<20 А<20 А<29 А<29 А<29 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<37 мОмId, Vgs = 20A, 10V<37 мОмId, Vgs = 20A, 10V<35 мОмId, Vgs = 29A, 10V<35 мОмId, Vgs = 29A, 10V<35 мОмId, Vgs = 29A, 10V
Серия MOSFET
Серия
UltraFET™
Заряд затвора
QG
27.5 нCVgs = 10V27.5 нCVgs = 10V28 нCVgs = 10V28 нCVgs = 10V28 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate