HUF76013D3ST

HUF76013, HUF76013D3S, HUF76013D3ST, HUF76013P3

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHUF76013D3SHUF76013D3STHUF76013P3
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйВ отверстия
Мощность
P
<50 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
624 пФVds = 20V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<20 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<22 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Серия MOSFET
Серия
UltraFET™
Заряд затвора
QG
17 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate