HUF75831SK8T

HUF75831, HUF75831SK8T

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHUF75831SK8T
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.5 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.175 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<150 В
Постоянный ток стока
IDSS
<3 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<95 мОмId, Vgs = 3A, 10V
Серия MOSFET
Серия
UltraFET™
Заряд затвора
QG
80 нCVgs = 20V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate