На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HUF75639G3 | HUF75639P3 | HUF75639S3 | HUF75639S3S | HUF75639S3ST | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247-3 | TO-220-3 (Straight Leads) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <200 Вт | ||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2 нФVds = 25V | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <56 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <25 мОмId, Vgs = 56A, 10V | ||||
Серия MOSFET | Серия | UltraFET™ | ||||
Заряд затвора | QG | 130 нCVgs = 20V | ||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||