На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HUF75637P3 | HUF75637S3_NR4895 | HUF75637S3S | HUF75637S3ST | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <155 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.7 нФVds = 25V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <44 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <30 мОмId, Vgs = 44A, 10V | |||
Серия MOSFET | Серия | UltraFET™ | |||
Заряд затвора | QG | 108 нCVgs = 20V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||