На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HUF75631P3 | HUF75631S3S | HUF75631S3ST | HUF75631SK8T | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | 8-SOIC (3.9mm Width) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <120 Вт | <120 Вт | <120 Вт | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.22 нФVds = 25V | 1.22 нФVds = 25V | 1.22 нФVds = 25V | 1.225 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <33 А | <33 А | <33 А | <5.5 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <40 мОмId, Vgs = 33A, 10V | <40 мОмId, Vgs = 33A, 10V | <40 мОмId, Vgs = 33A, 10V | <39 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | UltraFET™ | |||
Заряд затвора | QG | 79 нCVgs = 20V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Logic Level Gate |