На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HUF75617D3 | HUF75617D3S | HUF75617D3ST | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <64 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 570 пФVds = 25V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <16 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <90 мОмId, Vgs = 16A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | UltraFET™ | ||
Заряд затвора | QG | 39 нCVgs = 20V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||