На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HUF75545P3 | HUF75545S3 | HUF75545S3S | HUF75545S3ST | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <270 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3.75 нФVds = 25V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <80 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <75 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <10 мОмId, Vgs = 75A, 10V | |||
Серия MOSFET | Серия | UltraFET™ | |||
Заряд затвора | QG | 235 нCVgs = 20V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||