HUF75329D3S

HUF75329, HUF75329D3, HUF75329D3S, HUF75329D3ST, HUF75329G3, HUF75329P3, HUF75329S3

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHUF75329D3HUF75329D3SHUF75329D3STHUF75329G3HUF75329P3HUF75329S3
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63TO-247-3TO-220-3 (Straight Leads)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияПоверхностный
Мощность
P
<128 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.06 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<55 В
Постоянный ток стока
IDSS
<20 А<20 А<20 А<49 А<49 А<49 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<26 мОмId, Vgs = 20A, 10V<26 мОмId, Vgs = 20A, 10V<26 мОмId, Vgs = 20A, 10V<24 мОмId, Vgs = 49A, 10V<24 мОмId, Vgs = 49A, 10V<24 мОмId, Vgs = 49A, 10V
Серия MOSFET
Серия
UltraFET™
Заряд затвора
QG
65 нCVgs = 20V65 нCVgs = 20V65 нCVgs = 20V75 нCVgs = 20V75 нCVgs = 20V75 нCVgs = 20V
FET Feature
FET Feature
Standard