HUF75309D3S

HUF75309, HUF75309D3S, HUF75309D3ST, HUF75309P3, HUF75309T3ST

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		HUF75309D3S	HUF75309D3ST	HUF75309P3	HUF75309T3ST
Корпус микросхемы	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	TO-220-3 (Straight Leads)	SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель	Производитель	Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный
Мощность	P	<55 Вт	<55 Вт	<55 Вт	<1.1 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	350 пФVds = 25V	350 пФVds = 25V	350 пФVds = 25V	352 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<55 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<19 А	<19 А	<19 А	<3 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<70 мОмId, Vgs = 19A, 10V	<70 мОмId, Vgs = 19A, 10V	<70 мОмId, Vgs = 19A, 10V	<70 мОмId, Vgs = 3A, 10V
Серия MOSFET	Серия	UltraFET™	UltraFET™	UltraFET™	(не задано)
Заряд затвора	Q_G	24 нCVgs = 20V	24 нCVgs = 20V	24 нCVgs = 20V	23 нCVgs = 20V
FET Feature	FET Feature	Standard	Standard	Standard	Logic Level Gate