HUF75307D3

HUF75307, HUF75307D3, HUF75307D3ST, HUF75307T3ST

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHUF75307D3HUF75307D3STHUF75307T3ST
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<45 Вт<45 Вт<1.1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
250 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<55 В
Постоянный ток стока
IDSS
<15 А<15 А<2.6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<90 мОмId, Vgs = 15A, 10V<90 мОмId, Vgs = 15A, 10V<90 мОмId, Vgs = 2.6A, 10V
Серия MOSFET
Серия
UltraFET™UltraFET™(не задано)
Заряд затвора
QG
20 нCVgs = 20V20 нCVgs = 20V17 нCVgs = 20V
FET Feature
FET Feature
StandardStandardLogic Level Gate