На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HTNFET-D | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-DIP |
Производитель | Производитель | Honeywell Microelectronics & P |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Мощность | P | <50 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 290 пФVds = 28V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <400 мОмId, Vgs = 100mA, 5V |
Серия MOSFET | Серия | HTMOS™ |
Заряд затвора | QG | 4.3 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard |