HAT2209R

HAT2209, HAT2209R, HAT2209WP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHAT2209RHAT2209WP
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOPWPAK
Производитель
Производитель
Renesas Technology America
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2 Вт<5 Вт
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<7 А<10 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Заряд затвора
QG
3.9 нCVgs = 10V(не задано)
FET Feature
FET Feature
Standard