На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HAT2200R | HAT2200WP | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOP | WPAK |
Производитель | Производитель | Renesas Technology America | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <2.5 Вт | <20 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.3 нФVds = 10V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <8 А | <20 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <28 мОмId, Vgs = 4A, 10V | <28 мОмId, Vgs = 10A, 10V |
Заряд затвора | QG | 32 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |