HAT2199R-EL-E

HAT2199, HAT2199R, HAT2199R-EL-E, HAT2199WP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHAT2199RHAT2199R-EL-EHAT2199WP
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOP8-SOPWPAK
Производитель
Производитель
Renesas Technology America
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2 Вт<2 Вт<10 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.06 нФVds = 10V1.06 нФVds = 10V(не задано)
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<11 А<11 А<15 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<16.5 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V<16.5 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V(не задано)
Заряд затвора
QG
7.5 нCVgs = 4.5V7.5 нCVgs = 4.5V7.5 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard