На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HAT2199R | HAT2199R-EL-E | HAT2199WP | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOP | 8-SOP | WPAK |
Производитель | Производитель | Renesas Technology America | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <2 Вт | <2 Вт | <10 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.06 нФVds = 10V | 1.06 нФVds = 10V | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <11 А | <11 А | <15 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <16.5 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <16.5 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 7.5 нCVgs = 4.5V | 7.5 нCVgs = 4.5V | 7.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||