HAT2197

HAT2197, HAT2197R, HAT2197R-EL-E, HAT2197WP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHAT2197RHAT2197R-EL-EHAT2197WP
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOP8-SOPWPAK
Производитель
Производитель
Renesas Technology America
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.5 Вт<2.5 Вт<20 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.65 нФVds = 10V2.65 нФVds = 10V(не задано)
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<16 А<16 А<35 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<6.7 мОмId, Vgs = 8A, 10V<6.7 мОмId, Vgs = 8A, 10V(не задано)
Заряд затвора
QG
18 нCVgs = 4.5V18 нCVgs = 4.5V18 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level GateStandard