HAT2195R-EL-E

HAT2195, HAT2195R, HAT2195R-EL-E, HAT2195WP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHAT2195RHAT2195R-EL-EHAT2195WP
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOP8-SOPWPAK
Производитель
Производитель
Renesas Technology America
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.5 Вт<2.5 Вт<25 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.4 нФVds = 10V3.4 нФVds = 10V(не задано)
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<18 А<18 А<40 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<5.8 мОмId, Vgs = 9A, 10V<5.8 мОмId, Vgs = 9A, 10V(не задано)
Заряд затвора
QG
23 нCVgs = 4.5V23 нCVgs = 4.5V(не задано)
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level GateStandard