На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HAT2183WP | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | WPAK |
Производитель | Производитель | Renesas Technology America |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <30 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.2 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <150 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <20 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <64 мОмId, Vgs = 10A, 10V |
Заряд затвора | QG | 27 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |