На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HAT2165H | HAT2165N | HAT2165N-EL-E | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | LFPAK | LFPAK-i | LFPAK-i |
Производитель | Производитель | Renesas Technology America | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <30 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.18 нФVds = 10V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <55 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3.3 мОмId, Vgs = 27.5A, 10V | <3.6 мОмId, Vgs = 27.5A, 10V | <3.6 мОмId, Vgs = 27.5A, 10V |
Заряд затвора | QG | 33 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||