На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HAT2160H | HAT2160N-EL-E | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | LFPAK | LFPAK-i |
Производитель | Производитель | Renesas Technology America | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <30 Вт | (не задано) |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 7.75 нФVds = 10V | 7.6 нФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <60 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.6 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <3.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V |
Заряд затвора | QG | 54 нCVgs = 4.5V | 50 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |