HAT2141H-EL-E

HAT2141, HAT2141H, HAT2141H-EL-E

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHAT2141HHAT2141H-EL-E
Корпус микросхемы
Корпус
LFPAK
Производитель
Производитель
Renesas Technology America
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<20 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.2 нФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<15 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<27.5 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V
Заряд затвора
QG
46 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate